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 江西漢可泛半導體技術(shù)有限公司
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HAC-201

HAC-201型年產(chǎn)250MW非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池用全自動熱絲CVD非晶硅薄膜生長線

● 基本功能:

每小時4000片166硅片,最大可兼容210硅片;配套其它國產(chǎn)先進產(chǎn)線設(shè)備可實現(xiàn) 量產(chǎn)平均電池效率>24.5%。

● 運行性能穩(wěn)定、維護簡易、成本低:

設(shè)備免維護周期長。~30天維護保養(yǎng)一次。無需每天刻蝕清洗載板和腔體。
自制熱絲耗材,承諾長期平價供應(yīng)。
鍍膜氣壓低、氣耗低。相比PECVD粉塵大幅度減少、用氣成本降低。
立式結(jié)構(gòu):可有效避免鍍膜產(chǎn)生的粉塵顆粒污染表面,提高連續(xù)生產(chǎn)太陽電池填充因子和良品率。
自動化與載板協(xié)調(diào)同步設(shè)計。減少設(shè)備宕機,減少設(shè)備維護難度和備件庫存;減少設(shè)備備件維修成本。

● 鍍膜質(zhì)量好,無等離子對界面的損傷。

全部產(chǎn)品

每小時4000片166硅片,最大可兼容210硅片;配套其它國產(chǎn)先進產(chǎn)線設(shè)備可實現(xiàn)量產(chǎn)平均電池效率>24.5%。

每小時8000片166硅片,最大可兼容210硅片;配套其它國產(chǎn)先進產(chǎn)線設(shè)備可實現(xiàn)量產(chǎn)平均電池效率>24.5%。

非標定制設(shè)備,主要用于在單晶硅片上采用熱絲CVD方式鍍制非晶硅p層、非晶硅i層、非晶硅n層;采用磁控濺射(PVD)方式鍍制TCO薄膜。

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